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名古屋大学が世界初のシリコン基板への酸化ガリウムヘテロエピ成長を達成。SiCやGaNを上回る第四世代パワー半導体の量産コスト削減・熱問題・ガリウム地政学リスクに同時対応する技術的突破口を解説。
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・世界初達成 名古屋大学のSi基板ヘテロエピ成長がGa₂O₃デバイスのコスト構造を根本から変える
・SiCの10分の1の電力損失 第四世代半導体・酸化ガリウムのBFOM3000超という物性的優位性とは
・HD-ORS開発で量産化への扉が開く 成長速度10倍化と工業スケール対応プロセスの全貌
・長年の難題を突破 NiO拡散層によるpnダイオード実現がGa₂O₃デバイス実用化を加速する
・中国ガリウム輸出禁止の死角
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