【40兆円】信越化学が開発 次世代GaNが半導体の世界標準に 中国SiCを世代遅れにした技術とは?

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AI普及による電力危機に直面する中、中国は10兆円規模の投資で現行主流のSiC(炭化ケイ素)の覇権を狙っています 。対する日本は、信越化学の「QST基板」により、SiCを凌駕する性能を持つGaN(窒化ガリウム)の量産技術を確立しました 。既存設備を活用できるこの「世代飛ばし」の戦略は世界標準(IMEC)にも採用されており、物量で攻める中国に対し、日本は素材技術と戦略で逆転劇を図っています 。

参考
信越化学工業 GaNパワーデバイスの真の社会実装
信越化学工業 
マイナビニュース imec、GaN-on-SOI ICを実用化
マイナビニュース 縦型GaNパワーデバイスの商用展開に一歩前進
マイナビニュース 需要が高まるGaNデバイスの特徴と市場動向
TECH+ 信越化学、GaNパワーデバイスの市場拡大に向けてQST基板事業の推進を決定
BUSINESS WIRE 信越化学の300mm

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