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ラピダスが挑む2ナノメートル半導体製造技術について、IBM技術提携による革新的なゲートオールアラウンド構造や裏面電源供給技術、AI活用製造プロセスなど最新動向を解説。2027年量産目標に向けた技術進展と課題を分析します。
・2nm半導体製造の核心技術：IBMのGAAナノシート構造がもたらす革新
・裏面電源供給技術（BSPDN）で実現する省電力化と性能向上の仕組み
・AI駆動製造プロセスが変える半導体生産の未来像
・ASML最新EUVリソグラフィ装置導入の技術的意義
・日本半導体産業復活への道筋：1980年代からの歴史的転換点
・TSMC・サムスン・インテルとの技術競争の現状分析
・2027年量産実現への課題：資金調達と人材確保の実態
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・IEEE Spectrum
・Tom’s Hardware
・IBM Research Blog
・SemiEngineering
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